三星电子1cnm内存开发良率目标延期半年，HBM4量产计划或受影响

韩媒MoneyToday于1月21日报道，三星电子将1c nm DRAM内存开发的良率里程碑从原计划的2024年底推迟至2025年6月。尽管三星已在去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，但整体良率未能达到量产所需水平。这一变化可能导致三星的HBM4内存规划受到影响。

相较于竞争对手，三星电子在1c nm DRAM的开发进度上有所落后。SK海力士和美光分别计划在2024年8月和2024年4月完成开发。此外，1c nm DRAM的推迟也将影响三星的HBM4产品进度，原本计划于2025年内量产的HBM4将受到挑战。三星电子正在调整设计并加快开发时间，以挽回市场领导地位。

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